当晶体比较完整且在入射电子束方向的厚度比较合适时,不仅会出现规则排列的衍射点,还会分布一些明暗成对的线状花样,菊池首先对这一衍射现象作了定性解释,因此称为菊池线。
- 菊池线在电子衍射图的背底上出现的亮、暗成对的平行线条。
- 菊池极同一晶带的菊池线对的中线交于一点,构成一个对称中心,这个对称中心就是晶带轴与荧光屏的交点,一般称为菊池极。
- 菊池带在对称入射的情况下,即衍射晶面与入射束方向平行,此时在菊池线对之间常出现暗带或亮带,称之为菊池带。
- 菊池图把各种确定取向下的菊池衍射图拼接起来,可得到一张显示任一晶体取向的菊池衍射图,简称菊池图。

图1 单晶衍射区厚度对衍射图样的影响
入射电子束与试样相互作用,有一部分电子发生非弹性散射(方向改变且能量损失较小),便在晶体内出现了空间所有方向上传播的子波,这些子波在符合布拉格衍射条件的情况下,也可使晶面发生衍射。

图2a 非弹性散射电子形成的球形子波
图2b 满足布拉格条件的非弹性散射电子发生布拉格衍射(菊池线产生的几何构图)

图3 菊池线产生的几何构图
Lλ=Rd

图4 菊池线测晶面间距
- hkl菊池线对间距等于hkl衍射点到透射斑点的距离,线对间距R和晶面间距d仍然满足Lλ=Rd。
- hkl菊池线对与hkl衍射点到透射斑点的连线垂直。
- 菊池线对中线可看作(hkl)晶面与荧光屏的交线。
- 两菊池线对中线夹角与相应的两晶面夹角相等(菊池极与透射斑点重合时才严格相等)。
- 精确测定晶体取向
- 测定偏离参量s
- 晶体结构的测定(主要在EBSD中采用)
当入射束与(hkl)晶面平行时,菊池线对对称分布在透射斑点两侧,如图5(a)。当入射束与(hkl)晶面呈θ角,s=0,倒易点hkl正好落在反射球面上,菊池线亮线通过hkl点,暗线通过透射斑点,如图5(b)。当s>0时,hkl倒易点位于球面内,菊池线对分布在透射斑点的同一侧,亮线位于hkl衍射点外侧,如图5(c)。当s<0时,hkl倒易点位于球面外,菊池线对分布在透射斑点的两侧,亮线位于hkl衍射点内侧,如图5(d)。


图5 不同取向条件下菊池线对与衍射斑点的相对位置关系

图6 测定偏离参量s示意图
Δθ=s/g=X/L,结合Lλ=Rd,则s=(XR)/(LLλ)
如图7所示,当前取向为[101],欲将晶体的[111]方向倾转到与入射束平行的位置,样品应以[10-1]方向为轴,逆时针转35.26°(因为[10-1]方向是[101]和[111])两晶带共有晶面(20-2)的法线,因此,只要保持菊池线沿着两晶带共有晶面菊池线对的方向扫动,就可以到达目标菊池极。

图7 通过计算绘制的面心立方晶体的菊池图([101]为中心)

图8 某种材料的菊池带
- 章晓中-电子显微分析
- 图5,6,7及相关内容引自孟庆昌-透射电子显微学
- 图3及相关内容引自百度文库-菊池衍射及其应用
来源:米格实验室
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