自从石墨烯被发现以来，二维半导体材料，如MoS2, WS2, SnS2等，因为具有独特的电学、光学、化学等方面的性能而越来越吸引了研究人员的注意。基于这些二维单体材料的排列组合，具有不同能带结构的二维范德华异质结逐渐成为了当前的研究热点。理论和实验都表明，半导体异质结的带阶在其应用方面扮演很重要的角色，具有Ⅱ型能带的异质结能导致电荷空穴分离，从而在光电领域有很好的应用。同时，由两种有晶格失配的单层材料形成的二维范德华异质结中，由于内部的耦合作用，亚晶格的对称性会被破坏，会形成周期性的莫尔图案，这将可能观察到独特的物理现象，如量子自旋霍尔效应等。
最近，中国科学院半导体研究所李京波研究员和魏钟鸣研究员领导的团队，采用直接化学气相沉积法成功获得了高质量、大尺寸、高产率的二维双层SnS2/MoS2异质结。理论上，这种异质结具有很大的带阶及很高的失配度（15%）。光学测试表明，异质结区域具有明显的PL淬灭，这是由这种独特的Ⅱ型能带导致的。由于具有高的失配度，这种异质结的高分辨透射电镜图片显示具有明显的莫尔图案（Moiré patterns）。场效应测试表明，这种异质结有很高的迁移率（27.6 cm2 V−1 s−1），高的光响应度（1.36 A/W），同时还具有明显光伏效应。这种异质结有望在未来的光电领域有重要的应用。
相关论文近期在线发表在Advanced Electronic Materials（DOI: 10.1002/aelm.201600298）上。
化学气相沉积法制备大尺寸超薄SnS2纳米片及高性能光探测器的构筑
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