研究团队：乔治亚理工学院Juan-Pablo Correa-Baena，剑桥大学Samuel D. Stranks，伦敦帝国理工学院Robert L.Z. Hoye等
研究内容：通过利用扫描透射电子显微镜的低剂量、低角度环形暗场成像，人们已经获得了FAPbI3和MAPbI3薄膜的原子分辨率图像，这种原子水平的理解为卤化钙钛矿卓越性能的机理提供了新的见解。残留的前驱体PbI2和FAPbI3晶粒之间具有连贯，无缺陷，低应变的界面，这有助于解释为什么少量的PbI2可能不会损害电池性能。同时，钙钛矿中相对未被探索的结构缺陷、但常见的堆积缺陷和刃位错(图1A和1B)，可能对性能有重要的影响。对FAPbI3/FAPbI3晶界的研究提供了更深入的了解：虽然大多数三点晶界是连续结晶的，但一些晶界明显包含非晶态材料和排列的点缺陷(图1C和1D)。对观察到的结构缺陷进行完整、连贯地理解需要更多的工作，重点是结合光物理信息和模拟的原子分辨率成像，以确定哪些缺陷与材料的稳定性和性能最相关。
文献信息：Pressing challenges in halide perovskite photovoltaics—from the atomic to module level. (Joule, 2021, DOI: 10.1016/j.joule.2021.03.011) [原文链接]
