研究团队：加拿大滑铁卢大学陈忠伟院士、河北工业大学张永光副教授、李敬德副教授（共同通讯作者）
研究内容：团队通过隔膜改性将富含硒缺位（VSe）的Sb2Se3-x/rGO复合微球首次引入到锂硫电池中。这种低带隙（1.0-1.2 eV）的硒化锑半导体本身具有较强的电导率，成本低廉、易于控制缺陷产生，进而增强其电导率，在锂硫电池系统改进中具有较大的应用潜力。
文献信息： Low-Bandgap Se-Deficient Antimony Selenide as a Multifunctional Polysulfide Barrier toward High-Performance Lithium-Sulfur Batteries, Adv. Mater., 2019, 1904876. DOI:10.1002/adma.201904876 [原文链接]
