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2. 层状GeS2及其非晶态复合物

2. 层状GeS2及其非晶态复合物

韩国国立金乌工科大学Ki-JoonJeon和仁荷大学Cheol-Min Park合作采用简单的高能球磨和固相反应制备了层状非晶态GeS2复合物,由于GeS2在高能球磨过程中均匀地分散在导电碳基体中,从而有效地降低了脱嵌锂引起的体积膨胀。GeS2和C的协同作用下,不仅获得了优异的储锂容量,而且循环性能和倍率性能也得到大幅度改善。GeS2/C复合物的首次放电容量和库伦效率分别为1298mAh/g和83.3%,循环180次后容量仍高达1100mAh/g。另外,在700mA/g的高倍率下,还可获得800mAh/g的容量。


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图1.电化学性能测试


Geon-Kyu Sung, Ki-JoonJeon,Cheol-Min et al, Highly Reversible and Superior Li-Storage Characteristicsof Layered GeS2 and Its Amorphous Composites. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2016.DOI:10.1021/acsami.6b10994

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