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Advanced Electronic Materials 热点文章排行榜Top 10 (2016年8月)

本文统计了Advanced Electronic Materials在2016年8月访问量排在前十位的文章。数据通过Wiley Online Library统计论文页面浏览量(Page Views)得出。


1. Recent Advances in Stretchable and Transparent Electronic Materials

通讯作者:Qibing Pei(University of California, Los Angeles, USA)

发表时间:16 March 2016

DOI: 10.1002/aelm.201500407


2. Memristors for Energy-Efficient New Computing Paradigms

通讯作者:Cheol Seong Hwang(Seoul National University, Korea)

发表时间:16 August 2016

DOI: 10.1002/aelm.201600090


3. Dual-Characteristic Transistors Based on Semiconducting Polymer Blends

通讯作者:鲁广昊(西安交通大学)

发表时间:2 August 2016

DOI: 10.1002/aelm.201600267


4. An Antimony Selenide Molecular Ink for Flexible Broadband Photodetectors

通讯作者:

Ratan Debnath(National Institute of Standards and Technology, USA)

Susanna M. Thon(Johns Hopkins University, USA)

发表时间:3 August 2016

DOI: 10.1002/aelm.201600182


5. 2D Tin Monoxide—An Unexplored p-Type van der Waals Semiconductor: Material Characteristics and Field Effect Transistors

通讯作者:Ashutosh Tiwari(University of Utah, USA)

发表时间:12 February 2016

DOI: 10.1002/aelm.201500453


6. Performance Upper Limit of sub-10 nm Monolayer MoS2 Transistors

第一作者:Zeyuan Ni(北京大学)

通讯作者:吕劲(北京大学)

发表时间:2 August 2016

DOI: 10.1002/aelm.201600191


7. Top-Pinning Controlled Dewetting for Fabrication of Large-Scaled Polymer Microwires and Applications in OFETs

第一作者:阚晓楠(中科院理化技术研究所)

通讯作者:江雷(中科院理化技术研究所;北京航空航天大学)

发表时间:2 August 2016

DOI: 10.1002/aelm.201600111


8. Flexible and Stretchable Oxide Electronics

通讯作者:

Jong-Hyun Ahn(Yonsei University, Korea)

Bhupendra K. Sharma(Indian Institute of Science, India)

发表时间:6 July 2016

DOI: 10.1002/aelm.201600105


9. A Solution-Processed Organometal Halide Perovskite Hole Transport Layer for Highly Efficient Organic Light-Emitting Diodes

第一作者:Yu Tian(Florida State University, USA)

通讯作者:Biwu Ma(Florida State University, USA)

发表时间:10 June 2016

DOI: 10.1002/aelm.201600165


10. Non-Conjugated Flexible Linkers in Semiconducting Polymers: A Pathway to Improved Processability without Compromising Device Performance

通讯作者:鲍哲楠(Stanford University,  USA)

发表时间:19 May 2016

DOI: 10.1002/aelm.201600104


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