本文统计了Advanced Electronic Materials在2016年12月访问量排在前十位的文章。数据通过Wiley Online Library统计论文页面浏览量（Page Views）得出。
1. Recent Advances in Stretchable and Transparent Electronic Materials
通讯作者：Qibing Pei（University of California, USA）
发表时间：16 March 2016
DOI: 10.1002/aelm.201500407
2. Reliable Actual Fabric-Based Organic Light-Emitting Diodes: Toward a Wearable Display
通讯作者：Kyung Cheol Choi（Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), South Korea）
发表时间：5 September 2016
DOI: 10.1002/aelm.201600220
3. Effect of Synthesis on Quality, Electronic Properties and Environmental Stability of Individual Monolayer Ti3C2 MXene Flakes
通讯作者：Alexander Sinitskii（ University of Nebraska – Lincoln, USA）
Yury Gogotsi（Drexel University, USA）
发表时间：2 November 2016
DOI: 10.1002/aelm.201600255
4. Achieving 6.7% Efficiency in P3HT/Indene-C70 Bisadduct Solar Cells through the Control of Vertical Volume Fraction Distribution and Optimized Regio-Isomer Ratios
通讯作者：S. Ravi P. Silva（University of Surrey, UK）
发表时间：15 November 2016
DOI: 10.1002/aelm.201600362
5. Highly Sensitive Pressure Sensor Based on Bioinspired Porous Structure for Real-Time Tactile Sensing
通讯作者：Taeyoon Lee（Yonsei University, Republic of Korea）
发表时间：7 November 2016
DOI: 10.1002/aelm.201600356
6. 2D Tin Monoxide—An Unexplored p-Type van der Waals Semiconductor: Material Characteristics and Field Effect Transistors
通讯作者：Ashutosh Tiwari（University of Utah, USA）
发表时间：12 February 2016
DOI: 10.1002/aelm.201500453
7. Flexible and Stretchable Oxide Electronics
通讯作者：Jong-Hyun Ahn（Yonsei University, Republic of Korea）
Bhupendra K. Sharma（Indian Institute of Science, India）
发表时间：6 July 2016
DOI: 10.1002/aelm.201600105
8. All-Carbon Thin-Film Transistors as a Step Towards Flexible and Transparent Electronics
通讯作者：成会明，孙东明（中国科学院金属研究所）
发表时间：4 October 2016
DOI: 10.1002/aelm.201600229
9. Printed, Self-Aligned Side-Gate Organic Transistors with a Sub-5 µm Gate–Channel Distance on Imprinted Plastic Substrates
通讯作者：C. Daniel Frisbie，Lorraine F. Francis（University of Minnesota, USA）
发表时间：7 November 2016
DOI: 10.1002/aelm.201600293
10. Direct Vapor Phase Growth and Optoelectronic Application of Large Band Offset SnS2/MoS2 Vertical Bilayer Heterostructures with High Lattice Mismatch
第一作者：Bo Li（中国科学院半导体研究所）
通讯作者：魏钟鸣，李京波（中国科学院半导体研究所）
发表时间：10 October 2016
DOI: 10.1002/aelm.201600298
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