Advanced Electronic Materials 热点文章排行榜Top 10 (2018年2月)

本文统计了Advanced Electronic Materials在2018年2月访问量排在前十位的文章。数据通过Wiley Online Library统计论文页面浏览量(Page Views)得出。


1. Stretchable Polymer Semiconductors for Plastic Electronics

通讯作者:鲍哲楠(Stanford University, USA)

发表时间:2 January 2018

DOI: 10.1002/aelm.201700429


2. Ultrawide-Bandgap Semiconductors: Research Opportunities and Challenges

通讯作者:R. J. Kaplar,J. Y. Tsao(Sandia National Laboratories, USA)

M. A. Hollis(Advanced Technology Division, MIT Lincoln Laboratory, USA)

发表时间:4 December 2017

DOI: 10.1002/aelm.201600501


3. Hand-Drawn Resistors, Capacitors, Diodes, and Circuits for a Pressure Sensor System on Paper

通讯作者:Niko Münzenrieder,Júlio C. Costa(University of Sussex, UK)

发表时间:1 February 2018

DOI: 10.1002/aelm.201700600


4. Advanced Materials for Printed Wearable Electrochemical Devices: A Review

通讯作者:Joseph Wang(University of California, San Diego, USA)

发表时间:7 December 2016

DOI: 10.1002/aelm.201600260


5. Asymmetric Flexible MXene-Reduced Graphene Oxide Micro-Supercapacitor

通讯作者:Yury Gogotsi(Drexel University, USA)

发表时间:27 November 2017

DOI: 10.1002/aelm.201700339


6. Flexible, Transparent, Sensitive, and Crosstalk-Free Capacitive Tactile Sensor Array Based on Graphene Electrodes and Air Dielectric

通讯作者:Jongbaeg Kim(Yonsei University, Republic of Korea)

Jungwook Choi(Yeungnam University, Republic of Korea)

发表时间:2 November 2017

DOI: 10.1002/aelm.201700427


7. Analysis of Performance Instabilities of Hafnia-Based Ferroelectrics Using Modulus Spectroscopy and Thermally Stimulated Depolarization Currents

通讯作者:Uwe Schroeder(NaMLab gGmbH, Germany)

发表时间:1 February 2018

DOI: 10.1002/aelm.201700547


8. Analog Circuit Applications Based on Ambipolar Graphene/MoTe2 Vertical Transistors

第一作者:潘晨(南京大学)

通讯作者:缪峰,梁世军(南京大学)

发表时间:1 February 2018

DOI: 10.1002/aelm.201700662


9. Nongeminate Recombination in Organic Solar Cells

通讯作者:Carsten Deibel(Technische Universität Chemnitz, Germany)

发表时间:25 January 2018

DOI: 10.1002/aelm.201700505



10. Novel Optoelectronic Devices: Transition-Metal-Dichalcogenide-Based 2D Heterostructures

第一作者:Qingsheng Zeng(Nanyang Technological University, Singapore)

通讯作者:刘政(Nanyang Technological University, Singapore)

发表时间:4 January 2018

DOI: 10.1002/aelm.201700335

猜你喜欢

Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2018年1月)

2017年Advanced Electronic Materials最热文章

Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2017年12月)

Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2017年11月)

Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2017年10月)

Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2017年9月)

Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2017年8月)

Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2017年7月)

Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2017年6月)

Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2017年5月)

Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2017年4月)

Advanced Electronic Materials 热点文章排行榜Top 10 (2017年3月)

Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2017年2月)

Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2017年1月)

(点击以上标题可以阅读原文)



Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2018年2月)

MaterialsViewsChina

官方微信平台

聚焦材料新鲜资讯

材料大牛VS新秀访谈
MVC论文排行榜每月新鲜出炉
热爱科研的你还在等什么,快加入我们一起微互动吧!!!


微信号:materialsviews

微博:materialsviews中国

欢迎个人转发和分享,公众号或媒体如需要转载,请联系:

materialsviewschina@wiley.com

关注材料科学前沿,请长按识别二维码

Advanced Electronic Materials  热点文章排行榜Top 10 (2018年2月)

点击左下角“阅读原文”,了解详情

本站非明确注明的内容,皆来自转载,本文观点不代表清新电源立场。

(0)
清新电源清新电源
上一篇 2018年3月15日 上午9:39
下一篇 2018年3月16日 下午5:49

相关推荐

发表回复

登录后才能评论