要求：
雅思6.5或者托福79，有力学物理化学或者计算材料背景，英语已考过的优先。申请scs奖学金的基础上，我们会补到 2.6w AUD/每年的标准。
昆士兰科技大学（QUT）位于昆士兰州首府，澳洲第三大城市，布里斯班市区，这里气候适宜，风景优美，是旅游胜地。另外，这里消费水平相对较低，奖学金足够租房和生活。
学校地理位置非常好，在市区的布里斯班河畔，紧挨一个植物园，学习和生活都非常惬意。 隔壁城市也是著名的旅游胜地 黄金海岸，交通非常方便去玩。
简述：
寇良志导师为人谦虚和善，脾气超好，耐心指导，年轻且科研能力强，课题丰富，经费充足。 寇老师主要利用量化软件（VASP，SIESTA）从事第一原理模拟，研究兴趣包括低维纳米材料的力电磁耦合，气体捕获和催化，能源材料，拓扑绝缘体等。
有意者请联系: liangzhi.kou@qut.edu.au, 或者微信：kouliangzhi
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发表文章：
已在物理，化学材料领域国际顶尖杂志发表76篇文章（三篇邀请综述），引用2500次，其中包括Nano Lett, ACS Nano; Adv. Mater.; NPG Asia Mater. J. Phys. Chem. Lett; 等。
10篇代表作：
1. X Tang, A Du, L. Kou, Gas sensing and capturing based on two‐dimensional layered materials: Overview from theoretical perspective, WIREs: Comp. Mol. Sci., DOI: 10.1002/wcms.1361, 2018.
2. L Kou, Y Ma, Z Sun, T Heine, C Chen, Two-Dimensional Topological Insulators: Progress and Prospects， J. Phys. Chem. Lett. 8, 1905, 2017.
3.L. Kou, Y. Ma, C. Tang, Z. Sun, A. Du and C. Chen, Auxetic and Ferroelastic Borophane: A Novel 2D Material with Negative Possion’s Ratio and Switchable Dirac Transport Channels, Nano Lett. 16, 7910, 2016.
4.L Kou, T Frauenheim, C Chen, Phosphorene as a Superior Gas Sensor: Selective Adsorption and Distinct I–V Response, J. Phys. Chem. Lett. 6, 2794, 2015.
5.L Kou, C Chen, S. Smith, Phosphene: Fabrication, Properties and Applications, J. Phys. Chem. Lett. 6, 2794, 2015.
6.L. Kou, S.-C. Wu, C. Felser, T. Frauenheim, C. Chen and B. Yan, Robust 2D Topological Insulator in van der Waals heterostructures, ACS Nano 8, 10448, 2014.
7.L. Kou, B. Yan, F. Hu, S.-C. Wu, T. Wheling, C. Felser, C. Chen and T. Frauenheim, Graphene-Based Topological Insulator with an Intrinsic Bulk Band Gap above Room Temperature Nano Lett. 13, 6251, 2013.
8.L. Kou, C. Li, Z. Zhang and W. Guo, Tuning magnetism in Zigzag ZnO nanoribbons by transverse electric fields，ACS Nano, 4, 2124, 2010.
9.L. Kou, C. Tang, W. Guo and C. Chen, Tunable Magnetism in Strained Graphene with Topological Line Defect, ACS Nano, 5, 1012, 2011.
10. X. Han, L. Kou, et al. Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO nanowires, Adv. Mater. 21, 4937, 2.
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