研究方向: 1. 第三代半导体材料AlN及高铝组分AlGaN外延生长及光电特性 2. 第三代半导体光电器件,包括紫外LED、激光二极管的设计和制造 3. 第三代半导体相关应用开发,包括紫外杀菌消毒、光固化、高功率车灯LED等应用(与企业合作开发)岗位职责: 1.进行第三代半导体及光电功能器件的相关研究工作,产生对领域有影响力的科研成果 2.独立申请各类科研项目,撰写研究报告和高水平研究论文 3.指导研究生科研工作 4.根据宁波市第三代半导体中心的规划建设需求,参与产业化技术开发。应聘条件: 1. 理学或工学博士毕业,物理、材料或电子信息等相关专业,副研究员及博士后原则上年龄不超过35岁,受国家申报限制,年龄不超过40岁。 2.有扎实的半导体物理基础,半导体光电子器件物理基础。 3.有MOCVD 或光电子相关经验的优先考虑 4.有自己的研究思路,熟悉所在领域的前沿热点。 5.具有较强的团队合作意识以及独立开展科研工作的能力,有较强的英语阅读和写作能力。 6.要求申请人具有开阔的战略视野,能敏锐把握本学科领域国家战略需求和世界科技前沿发展态势。在相关领域取得过重要原始性创新成果或做出过重大的科技创新贡献,近5年在国际重要核心刊物上发表具有重要影响的学术论文,也欢迎企业界人才参与申请。 岗位待遇: 应聘方式: 有关太阳能及光电子器件课题组: 有关中科院宁波材料所: |
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