重庆大学ACS Energy Letters: 氮掺杂石墨烯的分子工程调控析氢反应活性

重庆大学ACS Energy Letters: 氮掺杂石墨烯的分子工程调控析氢反应活性

【背景介绍】

氢能,由于其具有清洁、高效和可循环性的特点,被认为是未来最有潜力的石化替代能源。电解/光解制氢技术是规模化获取氢能的重要途径,然而析氢(HER)和析氧(OER)电极的高耗能、高成本势必严重影响氢能的大规模应用和发展。氮掺杂石墨烯(NG)由于其独特的光电性能而备受关注,极具潜力成为一种低成本的析氢催化材料。在NG材料中,氮掺杂种类对其表面电子结构影响显著,从而提供了在分子层面精确调控NG的催化性能的有效途径。然而,精确调控NG表面氮掺杂结构,继而揭示氮掺杂与HER的构效关系,最终实现NG催化剂的理性设计,面临着科学和技术层面上的巨大挑战。

重庆大学丁炜副教授,陈科研究员和魏子栋教授团队(硕士王怀新、博士生杨娜和李巍为共同第一作者)在分子水平下利用亚纳级别的空间限域精确调控NG中氮掺杂的种类,首次成功揭示氮掺杂的种类与NG催化HER性能的构效关系。研究表明:在非金属NG催化剂中,相比于吡啶氮和吡咯氮,季氨氮具有最高的HER活性;痕量金属修饰后,季氨氮则不再成为决定因素,痕量Co修饰的吡啶氮和吡咯氮的HER活性明显高于季氨氮和金属修饰的季氨氮;而当Ni取代Co修饰后,很大程度上抑制了NG的HER活性。最终设计的Co改性NG催化剂在酸性条件下表现出优异的氢吸附性能和可与贵金属媲美的HER活性。该工作以“Understanding the Roles of Nitrogen Configurations for Hydrogen Evolution: Trace Atomic Cobalt Boost the Activity of Planar Nitrogen doped Graphene”为题发表在ACS Energy Letters上。

【图文导读】

研究者通过不同阳离子(H+, Na+, Co+, Ni+)调控层状材料(蒙脱土,MMT)的层间距,利用的层间限域效应,选择性的合成三维结构的季氨氮(3D-N)与平面结构的吡啶/吡咯氮(2D-N)(季氨氮:sp3杂化的四面体结构,吡啶和吡咯氮:sp2杂化轨道的平面结构)。随着MMT层间距的增加,NG中2D-N的含量降低而3D-N的增加;反之,则2D-N的含量增加而3D-N的减小,从而在MMT的亚纳级别空间限域作用下实现了在分子水平精确调控NG的氮掺杂种类。

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图1 利用不同层间距的MMT合成的不同二维平面氮和三维季氨氮含量的NG。

在酸性介质中,随着NG催化剂3D-N的含量增加,HER活性显著增强,证明3D-N比2D-N具有更好的HER活性;而引入痕量金属Co和Ni之后,Co改性2D-N的NG催化剂表现出最优异的HER性能,在10 mA cm-2下表现出最小过电位(-210 mV),Ni修饰后的NG则活性骤降,甚至成为HER惰性材料。

重庆大学ACS Energy Letters: 氮掺杂石墨烯的分子工程调控析氢反应活性

图2 氮掺杂的种类与NG催化HER性能的构效关系。

研究员发现:(i) 季氨氮掺杂的NG可活化它周边碳原子,而季氨氮氢吸附能极高不参与反应,导致其HER性能的提升;平面氮具有较好的氢吸附性质,但无法活化其周边的碳原子参与反应。(ii) 在金属Co、Ni结合平面氮之后,Co可增强NG对氢的吸附,而Ni均化了NG中氮,碳,镍原子对氢的吸附,导致了更低的吸附能力。同时N的p轨道与Co的d轨道之间的杂化作用远强于其与Ni的d轨道之间的杂化作用,该现象表明Co与NG之间电子相互作用强于Ni;(iii) Co的d轨道费米能级比Ni高,分布更宽,因而电子在Co上的具有更优的流动性,电子离域于Co而限域于Ni,前者促进电子在Co-N-C的传输,最终活化N和C,后者则抑制了电子流动性,抑制了HER进程。

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图3 季氨氮-NG,吡啶氮-NG,Ni改性的吡啶氮-NG和Co改性的吡啶氮-NG的氢的吸附能(a);所有催化剂的HER自由能(b);所有NG催化剂的HER自由能,HER活性和MMT层间距的关系。

【小结与展望】

本文研究首次构建了氮掺杂种类——HER性能的构效关系,为设计HER催化剂提供了理论基础。此外,所开发的方法在制备石墨烯中表现出多种优势,即简单高效,灵活性强,可广泛适用于催化剂、传感器、超级电容及锂电池等领域中NG材料的大规模商业化生产。

【文献信息】

Huaixin Wang, Na Yang, Wei Li, et al., Understanding the Roles of Nitrogen Configurations for Hydrogen Evolution: Trace Atomic Cobalt Boost the Activity of Planar Nitrogen doped Graphene, ACS Energy Letters, 2018, 3, 1345-1352.

 

部门 | 媒体信息中心科技情报部

撰稿 | 重庆大学丁炜副教授、陈科研究员和魏子栋教授团队

编辑 | 吴禹翰

主编 | 张哲旭


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